我們的愿景是讓江德的產(chǎn)品運(yùn)用到實(shí)驗(yàn)室的每個(gè)角落
| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
|---|---|
| 商品目錄 | 功率MOSFET |
| FET類型 | N-Channel |
| 漏源極電壓Vds | 600V |
| 連續(xù)漏極電流Id | 28A(Tc) |
| 驅(qū)動(dòng)電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V |
| 柵極電壓Vgs | ±30V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） | 2714pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W(Tc) |
| Rds On(Max）@Id,Vgs | 123m Ohms@14A,10V |
| 工作溫度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D2Pak，TO-263AB |
