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可控硅光耦合器
參數(shù)參數(shù)值
商品目錄可控硅光耦合器
封裝/外殼7.64*7.62*9.4
電壓5V
介質(zhì)耐壓5000Vrms
工作溫度-30~85℃
斷態(tài)臨界電壓上升率≥200V/us
觸發(fā)類型非過零型
通態(tài)有效電流0.9A
斷態(tài)峰值電壓600V
封裝/外殼DIP8


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